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一种小尺寸单孔空心二氧化硅球及其制备方法和应用

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专利号 2022110649910 专利名称 一种小尺寸单孔空心二氧化硅球及其制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C01B33/18(2006.01),A61K47/04(2006.01),B82Y40/00(2011.01)
申请人 安徽农业大学 申请地址 230000 安徽省合肥市长江西路130号
发明人 孙冬冬 申请日期 2022-09-01
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:17:15
专利摘要 本发明涉及一种小尺寸单孔空心二氧化硅球,所述小尺寸单孔空心二氧化硅球为在内核表面包裹一层二氧化硅后通过选择性蚀刻内核后获得,其中,内核为利用硒源合成的纳米硒球。本发明提供一种通过选择性蚀刻纳米硒球来制备单孔空心二氧化硅球的方法,由于纳米硒与二氧化硅之间的稳定性差异,制备的条件易于操作,且制备出的单孔空心二氧化硅球载药量高,产率高,适合填充药物投入到多方面的应用中去,也为空心纳米材料的制备提供了新模板。

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身份证
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