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一种基于废旧光伏硅片制备的SiC基光催化剂、合成方法及其应用
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2020112764401
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2020112764401 | 专利名称 | 一种基于废旧光伏硅片制备的SiC基光催化剂、合成方法及其应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | B01J27/228(2006.01),B01J35/10(2006.01),C02F1/30(2006.01),C02F101/30(2006.01) |
| 申请人 | 上海第二工业大学 | 申请地址 | 201209 上海市浦东新区金海路2360号 |
| 发明人 | 王临才 | 申请日期 | 2020-11-16 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-11 09:16:53 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种基于废旧光伏硅片制备的SiC基光催化剂、合成方法及其应用；本发明的SiC基光催化剂的基底材料为一种利用废弃光伏硅片制备的纳米SiC，在基底材料的表面负载Ag3PO4/M‑PO4（M:Co、Mn、Fe等）。本发明采用碳热还原法制备纳米SiC，进而以所得的纳米SiC为基底采用液相沉淀法负载Ag3PO4/M‑PO4。本发明合成方法操作简单，可实现废弃光伏硅片的原位回收和循环利用，制得的催化剂还可用于废水中染料的降解。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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