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硅基微米柱/纳米线复合结构的制备方法

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专利号 2019108117054 专利名称 硅基微米柱/纳米线复合结构的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/0236,H01L31/068,H01L31/18
申请人 申请地址 上海市浦东新区金海路2360号
发明人 申请日期 2019-08-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:14:36
专利摘要 本发明公开了一种硅基微米柱/纳米线复合结构的制备方法。本发明将金属辅助化学刻蚀法与旋涂化学刻蚀法相结合,利用化学腐蚀剂对硅片进行腐蚀,实现在有p‑n结的硅基底上短型纳米线阵列与中长型硅微柱的硅复合纳米结构的制备;制备步骤包括:首先使用RCA清洗法清洗硅片;接着在清洁硅片衬底上同时进行金属沉积与化学刻蚀反应,初步形成硅表面微米柱/纳米线结构;然后旋涂法在硅表面涂刻蚀液,进一步腐蚀,最终制成一种微米柱/纳米线复合结构。本发明方法成本低,操作简便,无特定大型仪器限制。经过该方案,能够制得更深更宽、并且排列紧密的微纳米复合结构,亦可控制纳米线深度以及微米柱直径。

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