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一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用

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  • 2019105832435

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专利号 2019105832435 专利名称 一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用
专利类型 发明专利 国际分类 H01L51/42(2006.01),H01L51/46(2006.01),H01L51/44(2006.01),H01L51/48(2006.01)
申请人 申请地址 201209 上海市浦东新区金海路2360号
发明人 申请日期 2019-07-01
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:14:35
专利摘要 本发明公开了一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明制备方法如下:(1)将钨酸溶解于双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;(2)将A溶液加热反应得到透明的B溶液;(3)在B溶液中加入有机溶剂与蒸馏水,加热反应得到溶液C;(4)在C溶液中加入有机溶剂,加热反应得到无色透明溶胶D;(5)取溶胶D在导电玻璃基底上喷涂;(6)喷涂后的基底在加热台上加热,得到氧化钨电子传输层薄膜。本发明制备的电子传输层应用于可印刷钙钛矿太阳能电池中可得到850‑891mV的开路电压。本发明制备的电子传输层厚度可控,工艺简单,流程方便,可重复性强,能有效降低电池制作成本,便于技术推广。

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