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半导体器件导通状态下负载短路冲击装置、冲击系统和冲击方法

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专利号 2019103796519 专利名称 半导体器件导通状态下负载短路冲击装置、冲击系统和冲击方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01R31/26
申请人 申请地址 上海市浦东新区金海路2360号
发明人 申请日期 2019-05-08
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:14:34
专利摘要 本发明公开一种半导体器件导通状态下负载短路冲击装置,该装置包含:与半导体器件的源极和漏极电路连接组成回路的直流电源和负载;栅压提供电路,其电路连接半导体器件栅极和源极,向半导体器件施加栅压,使半导体器件导通;短路机构,其与负载并联连接,常态下电性不导通;短路控制电路,其电路连接短路机构,控制短路机构电性导通使负载短路,实现直流电源施加于半导体器件源极和漏极两端,对半导体器件进行冲击。本发明提供器件导通时负载突然短路的冲击效果,冲击时间和强度可调,实现器件在临界值下进行多次冲击。

交易流程

转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
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专利证书
手续合格通知书
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买方 企业营业执照
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身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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