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一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法

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  • 2017100920229

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专利号 2017100920229 专利名称 一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C03C17/34
申请人 申请地址 上海市浦东新区金海路2360号
发明人 申请日期 2017-02-21
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 09:14:25
专利摘要 本发明公开了一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法。本发明薄膜为厚度为100~150 nm的纳米片状结构阵列、层状结构的纳米块、短纳米带结构阵列或者直径70~100 nm的表面粗糙的纳米球。本发明首先将单质钼、双氧水与去离子水混合溶解,冰水浴磁力搅拌,陈化后,然后加入封端剂和粘结剂,得到前驱体;再将前驱体加入到反应釜中,将导电玻璃倾斜放置于反应釜中,导电面朝下,水热反应,反应结束后取出玻璃基板,最后在无水乙醇中浸润,再将所得薄膜放在马弗炉里煅烧,即可得氧化钼电致变色纳米薄膜。本发明制备的氧化钼薄膜材料形貌均一,可以应用于电致变色器件及其相关领域。

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卖方 企业营业执照
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