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专利号	2017100920229	专利名称	一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C03C17/34
申请人	Shanghai Polytechnic University	申请地址	上海市浦东新区金海路2360号
发明人	王金敏;左月;朱俊宇	申请日期	2017-02-21
下证状态	已下证	更新时间	2026-07-10 15:07:51
专利摘要	本发明公开了一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法。本发明薄膜为厚度为100~150 nm的纳米片状结构阵列、层状结构的纳米块、短纳米带结构阵列或者直径70~100 nm的表面粗糙的纳米球。本发明首先将单质钼、双氧水与去离子水混合溶解，冰水浴磁力搅拌，陈化后，然后加入封端剂和粘结剂，得到前驱体；再将前驱体加入到反应釜中，将导电玻璃倾斜放置于反应釜中，导电面朝下，水热反应，反应结束后取出玻璃基板，最后在无水乙醇中浸润，再将所得薄膜放在马弗炉里煅烧，即可得氧化钼电致变色纳米薄膜。本发明制备的氧化钼薄膜材料形貌均一，可以应用于电致变色器件及其相关领域。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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