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一种基于交换偏置同轴磁纳米电缆的制备方法

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专利号 2020114258442 专利名称 一种基于交换偏置同轴磁纳米电缆的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01F 1/00 (2006.01),H01F 41/02 (2006.01),H01B 13/016 (2006.01),C01B 32/168 (2017.01)
申请人 中国计量大学 申请地址 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
发明人 申请日期 2020-12-09
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 08:52:05
专利摘要 本发明涉及一种基于交换偏置同轴磁纳米电缆复合材料的制备方法,该发明利用碳纳米管石墨层的同轴性与碳元素的还原性合成一种具有交换偏置效应多层同轴磁纳米电缆(碳纳米管/碳化物/铁磁金属/反铁磁氧化物,CNTs/Ni<subgt;3</subgt;C/Ni/NiO),构造壳/核/核/碳基四元磁纳米同轴结构,并引入碳化物功能因子,依靠反铁磁层与铁磁层间的交换偏置效应来提高材料的有效各向异性场,从而提高复合材料的矫顽力。该发明无需通氢气还原,直接利用CNTs碳元素还原得到铁磁层,并包含了弱铁磁层碳化物功能因子,且反铁磁层、铁磁层和碳化物层的微结构可控,进而可以调控同轴磁纳米电缆的交换偏置效应性能,同时CNTs为壳层使复合材料性能更稳定。

交易流程

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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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