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低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法

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  • 2021110799788

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专利号 2021110799788 专利名称 低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01H 1/021 (2006.01),H01H 1/023 (2006.01),H01H 11/04 (2006.01),B22F 9/04 (2006.01),B22F 1/14 (2022.01),C22C 1/047 (2023.01),C22C 5/10 (2006.01),C22C 20/00 (2
申请人 安徽工业大学 申请地址 安徽省马鞍山市花山区安徽工业大学秀山校区(东校区)材料科学与工程学院北楼505
发明人 丁健翔 申请日期 2021-09-15
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 08:39:00
专利摘要 本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法,属于电触头材料技术领域,所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd,其元素摩尔比为2:1,属于Ti/Cd金属间化合物的一种,上述Ti2Cd用于制备Ag/Ti2Cd复合电触头材料,复合电触头材料中Cd含量比同组分Ag/CdO中Cd含量降低38%以上,具有显著减毒作用,该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强,具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中,未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。

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卖方 企业营业执照
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