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专利号	2017112974060	专利名称	一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法
专利类型	发明专利	国际分类
申请人		申请地址
发明人		申请日期	2017-12-08
下证状态	已下证	更新时间	2025-03-08 08:00:30
专利摘要	本发明公开了一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，该方法是以金属或合金纳米颗粒阵列作为模板，通过光源引发的局部表面等离激元热效应控制量子点前驱体的反应条件，从而控制其制备位点，尺寸和成核密度，该方法主要包括基片表面预处理、表面金属薄膜淀积、金属纳米颗粒阵列制备、保护层淀积、量子点生长和基片后清洗处理六个步骤，实现了使用化学合成方法制备大面积、低成本的量子点阵列。本方法可以与半导体加工工艺相结合，其制备的量子点阵列可应用于量子点激光器，单光子光源，太阳能电池，高效发光二极管，存储器等器件的加工制造中。

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