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一种上转换荧光增强衬底及其制备方法

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专利号 201910104496X 专利名称 一种上转换荧光增强衬底及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/64,H01L31/0236,H01L31/0232,H01L31/055,G01N21/552
申请人 申请地址 山东省青岛市市南区宁夏路308号
发明人 申请日期 2019-02-01
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 08:38:58
专利摘要 本发明公开了一种上转换荧光增强衬底及其制备方法,涉及纳米材料制备领域,所述上转换荧光增强衬底包括基板,所述基板具备晶体结构刚性;制备于所述基板上的铜纳米颗粒阵列,所述铜纳米颗粒阵列呈岛状分布;制备于所述铜纳米颗粒阵列上的二氧化钛薄膜,所述二氧化钛薄膜为多晶结构。本发明公开的上转换荧光增强衬底及其制备方法,是基于铜纳米颗粒LSPR效应,并使用二氧化钛调控其吸收峰位置。从而使其LSPR吸收移动至700‑1050nm,从而实现步骤简单,成本低廉,效果显著的上转换荧光增强衬底制备。本发明公开的上转换荧光增强衬底及其制备方法还可以与半导体加工工艺相结合,其制备的上转换荧光增强衬底可应用于光电器件表面光学改性,也可应用于荧光检测中。

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卖方 企业营业执照
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身份证
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