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一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法

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专利号 202010470174X 专利名称 一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C22C49/02(20060101),C22C49/14(20060101),C22C47/14(20060101),C01G19/02(20060101),C30B29/16(20060101),C30B29/62(20060101),C30B7/14(20060101),H01H1/0237(20060101),H01H11/04(20060101),C22C101/02(20060101)
申请人 西安工程大学 申请地址 陕西省西安市碑林区金花南路19号
发明人 付翀 申请日期 2020-05-28
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 08:31:23
专利摘要 本发明公开了一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、制备氧化锡晶须;步骤2、制备氧化锡颗粒;步骤3、使用氧化锡晶须和颗粒制备晶须颗粒混杂增强银‑氧化锡复合粉体;步骤4、使用银‑氧化锡复合粉体制备晶须颗粒混杂增强银基电接触合金;本发明一种晶须颗粒混杂增强银氧化锡电接触合金的制备方法能够控制氧化锡在银基体中的形态,提高第二相氧化锡在银基体中的分散性,使得合金内部第二相氧化物分布均匀;并且由于氧化锡晶须在银氧化锡电接触材料中的骨架束缚作用,能够在电弧侵蚀作用下维持第二相的均匀性,以提高银氧化锡电接触合金的性能和使用寿命。

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