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一种高电容氧空位稀土掺杂四氧化三钴纳米片的制备方法和应用
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
202111652444X
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 202111652444X | 专利名称 | 一种高电容氧空位稀土掺杂四氧化三钴纳米片的制备方法和应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01G11/86(2013.01),H01G11/30(2013.01),H01G11/46(2013.01),B82Y30/00(2011.01),B82Y40/00(2011.01) |
| 申请人 | 江西科技师范大学 | 申请地址 | 330013 江西省南昌市青山湖区枫林西大街605号 |
| 发明人 | 周卫强 | 申请日期 | 2021-12-30 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-11 08:24:17 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种高电容氧空位稀土掺杂四氧化三钴纳米片的制备方法和应用，属于超级电容器电极材料制备领域。上述稀土掺杂四氧化三钴纳米片的制备方法包括以下步骤：称取一定量的六水合硝酸钴和稀土可溶性盐，溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A；称取尿素，溶于混合溶液A中，搅拌均匀后，得到溶液B；将所得的溶液B在80‑90℃的温度下反应8‑12h，自然冷却到室温后，将所得产物离心分离，洗涤干燥，得到稀土掺杂四氧化三钴前驱体；将所得前驱体置于马弗炉中煅烧，煅烧结束后得到最终产物稀土掺杂四氧化三钴纳米片。本发明方法所得材料具有优越的电容性能，能够用于超级电容器电极材料。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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