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一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器

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专利号 2022113894882 专利名称 一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器
专利类型 发明专利 国际分类 G01L 1/24 (2006.01),G01L 11/02 (2006.01)
申请人 湖北科技学院 申请地址 湖北省咸宁市咸宁大道88号
发明人 申请日期 2022-11-08
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 08:10:00
专利摘要 本发明涉及一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器,包括结构可表示为D(AB)<supgt;N</supgt;C(BA)<supgt;N</supgt;D的一维缺陷光子晶体,其中N为正整数、用于表示空间周期数,A和B分别为折射率不同的媒质薄片,且媒质薄片A由超导材料HgBa<subgt;2</subgt;Ca<subgt;2</subgt;Cu<subgt;3</subgt;O<subgt;8+δ</subgt;制成,媒质薄片B由半导体材料GaAs制成,C为用于产生缺陷模的缺陷层,且C的材质和厚度与A、B的材质和厚度不完全一样,两个D分别为输入光波导和输出光波导,用于引导光入射和出射所述缺陷光子晶体,同时光波导D将外界压力传递到缺陷光子晶体上,形成静态压强。本发明基于特定材质及结构设计的缺陷光子晶体所得到的静态压强传感器能够对压强进行高精度测量。

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