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一种复合三维石墨烯电极及其制备方法和应用

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专利号 2020111564569 专利名称 一种复合三维石墨烯电极及其制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 G01N27/30(2006.01),G01N27/48(2006.01),B82Y15/00(2011.01),B82Y40/00(2011.01)
申请人 浙江理工大学 申请地址 310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号
发明人 刘吉洋 申请日期 2020-10-26
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 08:09:58
专利摘要 本发明公开了一种复合三维石墨烯电极及其制备方法和应用,属于新材料领域。所述复合三维石墨烯电极的制备方法包括:(1)利用等离子体处理三维石墨烯电极的表面,得到等离子体处理的三维石墨烯电极;(2)在等离子体处理的三维石墨烯电极表面制备二氧化硅纳米均孔薄膜,制得所述的复合三维石墨烯电极。本发明通过等离子体处理提高三维石墨烯电极的亲水性和电化学性质,并提高了与VMSF的结合力,实现二氧化硅纳米均孔薄膜稳定修饰于三维石墨烯电极基底上。结合三维石墨烯基底和VMSF的富集作用、VMSF的防玷污/抗干扰能力,本发明提供的介孔二氧化硅均孔膜/三维石墨烯电极在复杂样品中电化学有机小分子的直接检测中具有巨大的潜力。

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