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专利号	2021116333796	专利名称	一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C04B35/01(2006.01),C04B35/622(2006.01)
申请人	杭州电子科技大学	申请地址	310016 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1158号
发明人	刘兵	申请日期	2021-12-29
下证状态	未知	更新时间	2025-01-11 07:54:51
专利摘要	本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件