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基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2020101487053
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2020101487053 | 专利名称 | 基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | 申请地址 | |
| 发明人 | 张豆豆 | 申请日期 | 2020-03-05 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-11 07:54:27 |
| 专利摘要 | 本发明基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其制备方法，既具有较好的光透过性，又能够有效地保护不稳定的非晶硅光阴极。所述电极，包括依次耦合的导电衬底、具有p/i/n结构的a‑Si薄膜层、水合羟基氧化铁层和产氢催化剂层。本发明利用甚高频等离子体气相沉积设备在透明导电衬底上制备具有p/i/n结构的a‑Si薄膜，然后利用水浴法在薄膜硅电极表面生长厚度可达150nm的水合羟基氧化铁层，该界面层能带结构与薄膜硅匹配较好，然后既具有较好的光透过性，且在光照下可以从硅中快速提取电子到金属催化剂纳米粒子表面进行反应，在不影响薄膜的吸光性的同时，进一步增强光电流，同时减缓电极受光腐蚀的影响，将硅薄膜电极的稳定性明显提升。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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