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一种核壳结构Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米晶粒及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2019100424976
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2019100424976 | 专利名称 | 一种核壳结构Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米晶粒及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
| 申请人 | 申请地址 | ||
| 发明人 | 申请日期 | 2019-01-17 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-11 07:52:14 |
| 专利摘要 | 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米晶粒及其制备方法，所述Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为核，In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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