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一种超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料制备方法

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专利号 2019104680045 专利名称 一种超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C01B33/021,C09K11/77,B82Y30/00,B82Y40/00,CN108893115A,2018.11.27,KR910015683A,1991.09.30,KR910012172A,1991.08.07,US2003008505A1,2003.01.09,US2007232028A1,2007.10.04,CN101891198A,2010.11.24,CN103803486
申请人 承德石油高等专科学校 申请地址 河北省承德市高新技术产业开发区学院路2号
发明人 范志东 申请日期 2019-05-31
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:46:32
专利摘要 本发明提供了一种超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法,包括如下步骤:S1、采用单晶硅片为衬底,用丙酮和甲醇混合液超声清洗,用氨水和双氧水混合溶液超声清洗,再用稀释的HF超声清洗,用去离子水清洗、烘干,备用;S2、热蒸发金属Al和Sc,在S1备用的硅片衬底上形成3‑5nm的金属Al和Sc混合金属膜层,作为生长Si纳米线的金属催化剂;S3、在氩气的保护下,在单晶Si衬底表面生长出Si纳米线;S4、以稀土Eu2O3、Y2O3和La2O3粉末为杂质源,按照比例混合均匀并涂覆在所述步骤S3中形成的Si纳米线的表面;S5、对步骤S4中生成的Si纳米线进行Eu3+、Y3+和La+掺杂,制备荧光纳米材料SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+。

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企业组织机构代码证
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卖方 企业营业执照
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身份证
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