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一种低温热压制备的高性能低介微波介质陶瓷及其方法

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专利号 2021112261002 专利名称 一种低温热压制备的高性能低介微波介质陶瓷及其方法
专利类型 发明专利 国际分类 C04B35/553(2006.01),C04B35/622(2006.01),C04B35/645(2006.01)
申请人 杭州电子科技大学 申请地址 310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号
发明人 刘兵 申请日期 2021-10-21
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:39:01
专利摘要 本发明公开了一种低温热压制备的高性能低介微波介质陶瓷及其方法。本发明方法包括:称取NaOH与NaCl粉体,将两者均匀地溶解于蒸馏水中,后将液体烘干,得到NaOH‑NaCl混合物粉体;称取CaF2粉末,在CaF2粉末中添加所得的NaOH‑NaCl混合物粉体,充分研磨使两者混合均匀;将所得的混合粉末置于模具中,放入热压机中进行热压烧结,热压结束后获得致密的CaF2陶瓷;将获得的CaF2陶瓷烘干至恒重。本发明方法所得的微波陶瓷表现出优异的介电性能:相对密度为88%~96%,介电常数5.5r<6.3,品质因数Qf值18000GHz

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