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少层MoS修饰Ag-TiO纳米复合薄膜的制备方法

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  • 2018100290055

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专利号 2018100290055 专利名称 少层MoS修饰Ag-TiO纳米复合薄膜的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C02F1/30,B01J27/051,C02F101/36,B01J35/02,C02F101/38
申请人 申请地址 安徽省合肥市经开区莲花路1688号
发明人 申请日期 2018-01-12
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:33:49
专利摘要 本发明公开了一种少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜的制备方法,方法的步骤中含有:(a)制备TiO2纳米薄膜;(b)制备Ag‑TiO2纳米复合薄膜;(c)制备少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜:对得到的Ag‑TiO2纳米复合薄膜进行紫外光照处理,处理结束后,然后至少进行二次少层MoS2修饰步骤,得到少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜;其中,每次少层MoS2修饰步骤中包括:在Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面滴适量少层MoS2分散液,待少层MoS2分散液润湿Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面后,将少层MoS2分散液均匀涂覆于Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面,然后烘干处理。该方法制备过程简单,原材料成本相对较低,无毒,并且利用少层MoS2和Ag纳米颗粒的协同作用使得该薄膜具有较高的可见光催化降解效率,而且制备得到的薄膜易于回收和重复利用。

交易流程

转让材料

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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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服务保障

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