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一种硅纳米线阵列及其制备方法

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专利号 2021114532742 专利名称 一种硅纳米线阵列及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C01B33/023(2006.01),B82Y40/00(2006.01)
申请人 陕西科技大学 申请地址 710021 陕西省西安市未央区大学园
发明人 张利锋 申请日期 2021-11-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:33:34
专利摘要 本发明提供一种硅纳米线阵列及其制备方法,属于微纳米材料合成领域。以成本较低的工业级硅藻土作为硅源,预处理之后与石墨和海藻酸钠混合研磨制浆,干燥后与聚酰亚胺膜、金属锂片封装,充放电数次后制得硅纳米线阵列。本发明原料易得,工艺简单,成本较低,应用前景广阔。制备出的硅纳米线形貌特征鲜明,直径大约为50nm,整体呈规整的阵列状排列,在纳米电子器件、光电子器件以及新能源等方面具有较大的应用前景。

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