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一种可控温的SiC芯片功率循环实验装置

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专利信息

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专利号 2021111786662 专利名称 一种可控温的SiC芯片功率循环实验装置
专利类型 发明专利 国际分类 G01R 31/28 (2006.01)
申请人 北京工业大学 申请地址 北京市朝阳区平乐园100号
发明人 代岩伟 申请日期 2021-10-10
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:33:04
专利摘要 本发明公开了一种可控温的SiC芯片功率循环实验装置,包括:箱体、承载台、环境加热器、冷却水箱、硅脂、SiC芯片、Al2O3绝缘层、芯片加热器和热电偶。该装置通过环境加热器提供箱体内部的环境温度,通过芯片加热器来模拟SiC芯片工作时自身所产生的热量,之后通过冷却水箱来加速SiC芯片冷却,完成一次功率循环。通过稳压电源给环境加热器和芯片加热器提供稳定的电源,通过控制电脑控制该装置的循环次数及循环时间,从而达到加速实验的目的。

交易流程

转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
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专利证书
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企业组织机构代码证
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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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服务保障

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