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一种CeO<sub>2</sub>掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体及其制备方法

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专利号 2020112776061 专利名称 一种CeO<sub>2</sub>掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C25D3/12(2006.01),C25D15/00(2006.01),C25D5/36(2006.01),C25D5/50(2006.01),H01M8/0297(2016.01)
申请人 申请地址 212003江苏省镇江市梦溪路2号
发明人 郭平义 申请日期 2020-11-16
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:31:21
专利摘要 本发明公开一种CeO2掺杂Cu/Mn复合膜/微晶界面层与金属基复合连接体及其制备方法,涉及固体氧化物燃料电池金属连接体复合材料领域,首先通过高能微弧合金技术沉积基体材料的微晶过渡层;再运用电化学沉积方法复合镀金属Cu结合纳米级CeO2颗粒的复合膜;再电化学沉积金属Mn作为整个复合材料的外层。其中通过在电沉积Cu镀层时添加的一定量纳米级CeO2来细化镀层晶粒,提高元素高温扩散性和复合层高温抗氧化性。有益效果为:制备的微晶界面层与金属基复合连接体,导电性强且具有优良的高温抗氧化性能,能够有效的阻止金属基材中Cr元素的外扩散,以提高固体氧化物燃料电池金属连接体的寿命与工作效率。

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