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一种半导体芯片制造用蚀刻装置及其使用方法

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专利号 2019107992994 专利名称 一种半导体芯片制造用蚀刻装置及其使用方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L21/67,H01L21/677
申请人 申请地址 江苏省南京市栖霞区仙林大学城文澜路99号
发明人 申请日期 2019-08-28
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-03 17:50:49
专利摘要 本发明公开了一种半导体芯片制造用蚀刻装置及其使用方法,包括支撑机构、运输机构、印刷机构、供气机构和反应机构;运输机构与所述支撑机构相连,用于驱动待刻蚀电路板沿着预设的轨迹运动;所述印刷机构、供气机构和反应机构顺次设置,三者均设于所述运输机构的上方,所述供气机构的输出端与所述反应机构的输入端相连,当电路板运动至反应机构下方时,供气机构向反应机构提供高压气体,所述反应机构向电路板吹气。本发明利用运输机构带动电路板沿着预设轨迹运动,首先利用印刷机构对电路板进行印刷,然后利用供气机构为反应机构提供高压气体,当电路板运动至反应机构处时,利用高压气体对电路板进行清洁,避免了反应液的过渡蚀刻,大大提高了良品率。

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身份证
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