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一种钙钛矿单晶薄片及促进其生长的方法和应用

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专利号 2020110527473 专利名称 一种钙钛矿单晶薄片及促进其生长的方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C30B7/10(2006.01),C30B29/12(2006.01),H01L51/42(2006.01)
申请人 陕西师范大学 申请地址 710119 陕西省西安市长安区西长安街620号
发明人 刘生忠 申请日期 2020-09-29
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:37:05
专利摘要 本发明公开了一种钙钛矿单晶薄片及促进其生长的方法和应用,该方法利用聚四氟乙烯作为钙钛矿单晶薄片的结晶器皿,相对于现有的玻璃器皿,聚四氟乙烯对于钙钛矿前驱体溶液而言为疏水性器皿。对于钙钛矿薄膜的结晶过程,表面张力控制逆温度结晶来生长钙钛矿单晶薄膜,由于物质的化学势与其压强成正相关的关系,高的压强将导致较高的化学势能,因此疏水性容器中,溶液表面的化学势低于溶液内部的化学势。钙钛矿前驱液的表面张力越大,对于钙钛矿晶体而言,晶粒成长过程中,则晶粒生长越快,给予向上的力越大,晶片更容易向上生长,而且晶片的横向生长效果也越好。

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