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一种适用于高温环境的X射线探测器及其制备方法

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专利号 2020102033626 专利名称 一种适用于高温环境的X射线探测器及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/115(2006.01),H01L31/032(2006.01),H01L31/18(2006.01)
申请人 申请地址 710119 陕西省西安市长安区西长安街620号
发明人 申请日期 2020-03-20
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:36:41
专利摘要 一种适用于高温环境的X射线探测器及其制备方法,采用A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶材料作为探测X射线的活性层,其中,A为Cs+和Rb+中的一种;X为I‑,Br‑和Cl‑中的一种或者多种混合;工作温度为50‑150℃。制备方法包括如下步骤,步骤1,将A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶切割成需要的尺寸,其中,A为Cs+和Rb+中的一种;X为I‑,Br‑和Cl‑中的一种或者多种混合;步骤2,将切割后的A3Bi2X9型钙钛矿单晶进行清洗和表面抛光处理;步骤3,在步骤2得到的A3Bi2X9型钙钛矿单晶两端蒸镀金属电极,得到金属电极、A3Bi2X9型钙钛矿单晶和金属电极层叠的X射线探测器。A3Bi2X9型全无机铋基卤素钙钛矿单晶作为适用于高温环境的X射线探测器的活性层,高温环境的温度为50‑150℃。

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卖方 企业营业执照
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