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一种Cu<sub>2</sub>O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法

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专利号 2018109032896 专利名称 一种Cu<sub>2</sub>O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C25B11/06(2006.01),C25D9/08(2006.01),C25B1/04(2006.01),C23C14/18(2006.01),C23C14/08(2006.01),C23C14/02(2006.01),C23C28/00(2006.01)
申请人 陕西师范大学 申请地址 710062陕西省西安市长安南路199号
发明人 马艺 申请日期 2018-08-09
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:34:52
专利摘要 本发明公开了一种Cu<sub>2</sub>O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法,通过电化学沉积Cu<sub>2</sub>O后的FTO导电玻璃上先磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层,然后用含S<sup>2‑</sup>的水溶液浸渍并退火,或先将沉积Cu<sub>2</sub>O后的FTO导电玻璃用含S<sup>2‑</sup>的水溶液浸渍并退火,再磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层,最终得到Cu<sub>2</sub>O基多层光电阴极薄膜材料。本发明的制备过程简单,原材料价格低廉,降低了生产成本,同时提高了Cu<sub>2</sub>O的光电催化活性和稳定性,在光电催化分解水领域具有潜在的应用。

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