欢迎来到中细软旗下技术转移平台

服务热线：400-9696-518

节能环保新能源新材料高端制造生物产业数字创意

免费询价在线咨询

专利号	2017110139601	专利名称	低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类
申请人	陕西师范大学	申请地址
发明人	杨祖培	申请日期	2017-10-26
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 08:33:37
专利摘要	本发明公开了一种低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Ta3/4)xTi1‑xO2，其中x表示摩尔分数，x的取值为0.005～0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高，通过在Ta单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag，使陶瓷材料在频率为40～106Hz范围内具有高介电常数(＞104)、低介电损耗(＜0.14)，尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗，在40～103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.07以下，同时具有优异的频率及温度稳定性，保持在‑15％～15％之间，符合陶瓷电容器的参数要求，具有巨大的应用价值。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件