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一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法

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专利号 2017100926719 专利名称 一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01G9/20,H01G9/00,H01M14/00
申请人 陕西师范大学 申请地址 陕西省西安市长安南路199号
发明人 顾泉 申请日期 2017-02-21
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:32:48
专利摘要 本发明公开了一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法,该方法以三聚氰酸和三聚氰氯为前驱体、乙腈为溶剂,采用简单溶剂热法在表面羟基化的普通玻璃、石英玻璃、FTO导电玻璃或TiO2/FTO等基底上可控生长不同厚度的由自敏化氮化碳纳米颗粒组成的薄膜,然后采用后热处理使表面自敏化氮化碳碳化得到不同厚度和致密度的碳自掺杂氮化碳纳米薄膜。本发明制备过程简单,通过改变溶剂热反应时间和后热处理温度等可调控碳自掺杂氮化碳纳米薄膜的厚度和致密度,所得薄膜面积大且与基底接触紧密,碳掺杂增强了氮化碳的导电性,用于光电水分解表现出更优异的光电流响应。

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