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一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法

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  • 2016107860296

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专利号 2016107860296 专利名称 一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/0236(2006.01),H01L31/18(2006.01),B82Y20/00(2011.01),B82Y30/00(2011.01)
申请人 陕西师范大学 申请地址 710062陕西省西安市长安南路199号
发明人 刘生忠 申请日期 2016-08-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:32:18
专利摘要 本发明一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法,方法简单,一步合成,成本低质量高,显著提高电池的性能。所述的方法是在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上利用等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒。所述电池的表面为由本发明所述方法制备得到的纳米复合结构。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通过气体的等离子放电产生活性基团来促进纳米金属颗粒生成的反应,纳米金属颗粒一步合成,并能够均匀的将其布置在晶体硅表面,通过优化锗量子点的沉积时间、沉积温度以及氢稀释比,使沉积工艺组合达到左右。最优沉积工艺下得到锗量子点,经氢等离子体处理,钝化锗量子点表面悬挂键,修饰表面形貌,使其分散均匀。

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卖方 企业营业执照
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身份证
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