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一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法

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专利号 2015105366076 专利名称 一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/18(2006.01),H01L31/0216(2014.01)
申请人 陕西师范大学 申请地址 710119陕西省西安市长安区西长安街620号
发明人 刘生忠 申请日期 2015-08-27
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:31:36
专利摘要 本发明提供一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法,包括如下步骤,1)单晶硅片的清洗:对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物;2)单晶硅片脱水:将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水;3)氢化非晶硅锗的沉积:将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热,在180℃‑220℃的沉积温度和10W‑20W的等离子体激发功率下,在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后,完成对单晶硅片的钝化。本发明所述的钝化方法,在180℃‑220℃的环境中可以实现整个钝化过程,降低了热损伤。整个钝化过程中等离子激发功率10W‑20W,降低了等离子体的损伤。少子寿命高,钝化效果好。

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