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专利号	201410182303X	专利名称	一种硅系太阳能电池和其制备方法与制备装置以及其表面结构
专利类型	发明专利	国际分类	H01L31/0352,H01L31/18,H01L31/04
申请人		申请地址	陕西省西安市长安南路199号
发明人		申请日期	2014-04-30
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 08:31:03
专利摘要	本发明提供一种硅系太阳能电池表面结构包括在硅系太阳能电池表面上形成的凹坑和坐落在凹坑内的金属颗粒。还提供采用本发明所述表面结构的一种量子效率高的硅系太阳能电池，以及一种操作简单，成本低廉能够制备该硅系太阳能电池的方法，包括如下步骤：制备反应溶液，制备金属颗粒，刻蚀得到如本发明所述的硅系太阳能电池。还提供一种硅系太阳能电池的制备装置，包括用于加热硅系太阳能电池片的加热装置，用于将反应溶液喷涂到被加热硅系太阳能电池片上的喷涂装置，用于容纳刻蚀液的容纳装置。本发明是通过内部坐落金属颗粒的凹坑改变硅系太阳能电池表面的织态结构，产生协同作用，当光线照射到金属颗粒时产生表面等离子体共振效应，提高转换效率。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件