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降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法

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  • 2013103040684

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专利号 2013103040684 专利名称 降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01B12/00,C04B35/45,C04B35/622,C04B35/50
申请人 申请地址 陕西省西安市长安南路199号
发明人 申请日期 2013-07-18
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:30:48
专利摘要 一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法,采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top?Seeded-Metal?Oxides?Melt?Growth,简称TS-MOMG)方法制备单畴钆钡铜氧块材,将Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、无水BaO以及CuO三种金属氧化物,在高温状态下直接熔化反应,并在籽晶诱导下进行外延生长,完成单畴钆钡铜氧超导块材生长,整个熔化生长过程不需要烧结任何先驱粉体,在不降低超导块材性能的前提下,大大缩短了制备时间,简化了操作步骤,提高了超导块材的制备效率,降低了单畴超导块材的制备成本。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材,也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

交易流程

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卖方 企业营业执照
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身份证
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