发明专利
专利类型未知
专利状态2013103040684
专利号专利号 | 2013103040684 | 专利名称 | 降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01B12/00,C04B35/45,C04B35/622,C04B35/50 |
申请人 | 申请地址 | 陕西省西安市长安南路199号 | |
发明人 | 申请日期 | 2013-07-18 | |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 08:30:48 |
专利摘要 | 一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法,采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top?Seeded-Metal?Oxides?Melt?Growth,简称TS-MOMG)方法制备单畴钆钡铜氧块材,将Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、无水BaO以及CuO三种金属氧化物,在高温状态下直接熔化反应,并在籽晶诱导下进行外延生长,完成单畴钆钡铜氧超导块材生长,整个熔化生长过程不需要烧结任何先驱粉体,在不降低超导块材性能的前提下,大大缩短了制备时间,简化了操作步骤,提高了超导块材的制备效率,降低了单畴超导块材的制备成本。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材,也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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