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碳化硅固态断路器零电流软关断跳闸拓扑及其控制方法

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专利号 2024102377896 专利名称 碳化硅固态断路器零电流软关断跳闸拓扑及其控制方法
专利类型 发明专利 国际分类 H02H 7/26 (2006.01),H02H 3/087 (2006.01),H02M 1/00 (2007.01)
申请人 湖南工业大学 申请地址 湖南省株洲市泰山西路88号
发明人 申请日期 2024-03-01
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:12:38
专利摘要 本发明提供一种碳化硅固态断路器零电流软关断跳闸拓扑及其控制方法;所述拓扑包括电力二极管D<subgt;1</subgt;与电阻R<subgt;1</subgt;构成电感L<subgt;1</subgt;的泄放回路;电力二极管D<subgt;2</subgt;与电阻R<subgt;2</subgt;构成电容C<subgt;1</subgt;的泄放回路;电力二极管D<subgt;3</subgt;~D<subgt;6</subgt;构成的桥式电路,MOV电阻、C<subgt;2</subgt;和R<subgt;2</subgt;构成的旁路分支,电阻R<subgt;1</subgt;、电阻R<subgt;2</subgt;和主开关S<subgt;1</subgt;构成的自充电回路;电阻R<subgt;fault</subgt;;以及电感L<subgt;1</subgt;、电容C<subgt;1</subgt;、主开关和辅助开关构成的瞬态换向电流注入辅助回路。本发明实现直流配电网电源侧和负荷侧任意侧的保护,结构简单,减少了功率损耗。消除大故障电流幅值时的栅极振荡,提高系统的安全性;另一方面还提高了跳闸速度。

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