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一种痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料及制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2021111009866
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2021111009866 | 专利名称 | 一种痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料及制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
| 申请人 | 湖南工业大学 | 申请地址 | |
| 发明人 | 银锐明 | 申请日期 | 2021-09-18 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 08:12:21 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料的制备方法，以Si3N4粉末、烧结助剂和有机物为原料，经改性、成型、一次烧结和二次烧结制备而成；通过有机物在一定温度下原位生成高活性、高均匀、可调控的痕量碳实现在氮化硅基体中原位分布，达到对晶界处氧脱除，减少玻璃相、提高α→β相转变率，解决直接添加碳时由于分布不均易引起坯体变形开裂、晶格氧去除效果有限、组织不均匀等问题，提高Si3N4导热陶瓷材料的导热性能和强度。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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