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一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用

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专利号 2017101081527 专利名称 一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C01G33/00,H01M10/0525,H01M4/485
申请人 申请地址 湖南省株洲市天元区泰山西路88号
发明人 申请日期 2017-02-27
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:10:40
专利摘要 本发明公开了一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料的制备方法,将可溶性铌盐溶于去离子水与高分子醇的混合溶剂中,混合均匀,再加入含钠离子和/或钾离子的金属碱溶液或盐溶液得到混合溶液,将上述混合溶液密封后,进行搅拌,将搅拌后的混合溶液进行水热反应,反应完成后,自然冷却至室温;将反应完全的溶液离心处理,得到无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料;本发明通过改变锂离子的扩散距离,解决了现有锂离子在五氧化二铌晶体中扩散缓慢的问题,提升五氧化二铌作为负极材料的电化学性能;本发明的无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料具有结构稳定,循环性能好,倍率性能优异等特性,且制备方法工艺简单、操作容易、成本较低。

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