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一种含咔唑结构的具有高平面性二胺单体及其合成方法和应用

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专利号 2015105627201 专利名称 一种含咔唑结构的具有高平面性二胺单体及其合成方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C07D209/88,C08G73/14,C08G73/16,C08G73/10,C08G69/00
申请人 湖南工业大学 申请地址 湖南省株洲市天元区泰山西路88号湖南工业大学产学研处
发明人 刘亦武 申请日期 2015-09-08
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:10:22
专利摘要 本发明公开的是一种含咔唑结构的高平面性二胺单体及其合成方法和应用。本发明从二卤代咔唑出发,直接液氨氨化制备二胺,或通过Suzuki反应直接制备二胺;或利用二卤代咔唑通过氰化、水解、酰氯化合成二酰氯代咔唑,再利用其与羟基或氨基反应形成酯键或酰胺键,或利用二卤代咔唑中的卤原子通过Ullmann偶联反应形成醚键、仲胺等,最后将二硝基还原。本发明中二胺的合成工艺简单,纯化容易,适于工业生产。本发明中二胺单体的最低能态3D分子结构具有高平面性,以其为单体可以制备分子链间相互作用力强、自由体积小的高阻隔聚合物。本发明的二胺单体可用于合成高性能和功能化的聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺和聚酯酰亚胺等聚合物。

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