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专利号	2019105771785	专利名称	栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构及其制作方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L27/02(2006.01)
申请人		申请地址	410012 湖南省长沙市岳麓区麓山南路
发明人		申请日期	2019-06-28
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 08:04:57
专利摘要	本发明公开了一种栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构，包括衬底P‑Sub；衬底P‑Sub中设有DN‑Well区；DN‑Well区中设有第一P‑Well区和第二P‑Well区；第一P‑Well区中设有第一多晶硅栅、第二P+注入区；第二P‑Well区中设有第三P+注入区、第二多晶硅栅。本发明的第一多晶硅栅、第二P+注入区、第三P+注入区、第二多晶硅栅构成栅极增强型光控结构，能够使得双向可控硅器件的维持电压可调控，即利用雪崩倍增产生的光生载流子来调节P‑Well与DN‑Well的浓度，从而使得寄生BJT的基区浓度发生变化，达到改变发射效率，调控维持电压的目的。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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