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一种以石墨烯作为导电材料的铜铟硒纳米晶硅薄膜太阳电池及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2014106095503
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2014106095503 | 专利名称 | 一种以石墨烯作为导电材料的铜铟硒纳米晶硅薄膜太阳电池及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/0445(2014.01),H01L31/028(2006.01),H01L31/18(2006.01),B82Y30/00(2011.01),B82Y40/00(2011.01) |
| 申请人 | 湖南师范大学 | 申请地址 | 410081湖南省长沙市岳麓区麓山路36号 |
| 发明人 | 罗云荣 | 申请日期 | 2014-11-04 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 08:04:20 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种以石墨烯作为导电材料的铜铟硒纳米晶硅薄膜太阳电池及其制备方法。以p型重掺杂石墨烯作为衬底，通过离子束溅射法在p型重掺杂石墨烯上制备p型铜铟硒薄膜，通过蒸发法在p型铜铟硒薄膜表面沉积n型硫化镉薄膜，采用化学气相沉积法在n型硫化镉薄膜表面制备本征石墨烯过渡层，再在本征石墨烯过渡层上通过等离子增强化学气相沉积法依次制备p型与n型纳米晶硅薄膜，接着在n型纳米晶硅薄膜上通过化学气相沉积法制备n型重掺杂石墨烯薄膜，最后在n型重掺杂石墨烯薄膜表面以及p型重掺杂石墨烯衬底表面通过蒸发法制备金属电极。本发明的优点在于制作工艺简单，成本低廉，不仅扩展了传统铜铟硒薄膜太阳电池的光波吸收范围，而且充分发挥了石墨烯高导电性，高透光率以及良好的光照热稳定性的优势，提高了太阳电池的转换效率和使用寿命。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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