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胶束刻蚀制备聚(3,4-二氧乙烯噻吩)纳米图案的方法

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专利号 2021101428505 专利名称 胶束刻蚀制备聚(3,4-二氧乙烯噻吩)纳米图案的方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01B5/14(2006.01),H01B1/12(2006.01),H01B13/00(2006.01),C08G61/12(2006.01),B82Y30/00(2011.01),B82Y40/00(2011.01)
申请人 申请地址 415000 湖南省常德市洞庭大道3150号
发明人 申请日期 2021-02-02
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:03:41
专利摘要 本发明涉及一种胶束刻蚀制备聚(3,4‑二氧乙烯噻吩)纳米图案的方法,包括如下步骤,1)处理基板,清洗玻璃基板,除去杂物和羟基化,将其置于湿度为40‑80%的环境中;2)旋涂氧化物薄膜,将氧化剂溶液滴加到玻璃基板上,旋转玻璃基板,静置一段时间;3)形成聚(3,4‑二氧乙烯噻吩)纳米图案,将形成有氧化剂薄膜的玻璃基板置于气相合成室内,加热(3,4‑二氧乙烯噻吩)单体,控制气相合成室内湿度和温度,反应,清洗,干燥,得到聚(3,4‑二氧乙烯噻吩)纳米图案,本方法操作简单,便于控制尺寸,稳定性高,成本低廉,纳米图案上的孔洞尺寸达到纳米级,导电率高。

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卖方 企业营业执照
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