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一种一维SnSe螺旋位错纳米线及其制备方法和应用
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2024105616846
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2024105616846 | 专利名称 | 一种一维SnSe螺旋位错纳米线及其制备方法和应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C01B 19/00 (2006.01),H10N 10/852 (2023.01),B82Y 15/00 (2011.01),B82Y 30/00 (2011.01),B82Y 40/00 (2011.01) |
| 申请人 | 中国矿业大学 | 申请地址 | 江苏省徐州市南郊翟山 |
| 发明人 | 申请日期 | 2024-05-08 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:54:04 |
| 专利摘要 | 本发明属于半导体相变存储材料技术领域，具体涉及一种一维SnSe螺旋位错纳米线及其制备方法和应用。所述制备方法采用以下步骤：将SnSe粉末置于管式炉中心区域，将基底材料置于下游低温端，调节c/c<subgt;0</subgt;为1.2‑1.4，催化剂为Au纳米颗粒，进行加热反应，得到所述一维SnSe螺旋位错纳米线。本发明通过化学气相沉积法实现一维范德华SnSe螺旋位错纳米线形貌，结构，尺寸和角度的可控生长；所述制备方法具有工艺简单，操作易控制，所用试剂相对价廉及绿色环保等优点；所述SnSe螺旋位错纳米线具有优越的电学、光学性质，同时还具有热学性能优良、环境友好、化学性质稳定且成本低等特点，在红外光电仪器，记忆切换开关和热电冷却材料等领域存在着巨大的应用价值。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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