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表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2024105083818
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2024105083818 | 专利名称 | 表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C01B 32/10 (2017.01),H01M 4/583 (2010.01),H01M 4/587 (2010.01),H01M 4/62 (2006.01),H01M 4/36 (2006.01),H01M 6/14 (2006.01) |
| 申请人 | 中国矿业大学 | 申请地址 | 江苏省徐州市铜山区大学路1号 |
| 发明人 | 申请日期 | 2024-04-26 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:53:59 |
| 专利摘要 | 本发明属于氟化碳材料技术领域，公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为：于惰性气氛中，将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理，获得混合物；于惰性气氛中，将所述混合物于200~500℃下进行热处理，即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理，使氮源在热处理过程中分解产生气体，成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳，降低了表面C‑F共价键和C‑F<subgt;2</subgt;\C‑F<subgt;3</subgt;非活性基团，形成了高导电石墨畴界面，引入适当的缺陷和氮掺杂，显著提升氟化碳的离子/电子导电性，降低锂/氟化碳一次电池的初始电压滞后性，提高放电电压平台。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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