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一种高介低损耗钛酸铋钠基温度稳定型陶瓷电介质材料及其制备方法

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专利号 2024101732015 专利名称 一种高介低损耗钛酸铋钠基温度稳定型陶瓷电介质材料及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C04B 35/46 (2006.01)
申请人 中国矿业大学 申请地址 江苏省徐州市铜山区大学路1号
发明人 申请日期 2024-02-07
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:53:40
专利摘要 本发明公开了一种高介低损耗钛酸铋钠基温度稳定型陶瓷电介质材料及其制备方法。所述陶瓷材料化学式为xBi<subgt;0.5</subgt;Na<subgt;0.5</subgt;TiO<subgt;3</subgt;‑yNaNbO<subgt;3</subgt;‑zBaTiO<subgt;3</subgt;,x+y+z=1,0.6≤x<0.85,0.15<y≤0.4,0≤z≤0.2。本发明采用振荡冷烧结技术,冷烧结温度可低至150℃,振荡压力幅度为保压值的±10~50%,烧结时间为30~150min,并辅助两段式振荡热处理,避免了高温长时间保温的耗能步骤,可有效降低能耗;且本发明利用振荡冷烧结工艺促进颗粒重排,降低烧结能耗,抑制Bi与Na元素挥发,实现陶瓷组织致密化均匀化,有效改善钛酸铋钠基陶瓷的介电性能,所制备陶瓷样品的室温介电常数可达2000以上,介电损耗低于1.7%,具有超宽温度范围的稳定性,并且在400℃下介电损耗仍可保持小于1.8%。

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身份证
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