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专利号	2024100749748	专利名称	一种环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器
专利类型	发明专利	国际分类	G01N 21/3581 (2014.01),H01Q 15/00 (2006.01),G01N 21/01 (2006.01)
申请人	中国矿业大学	申请地址	江苏省徐州市铜山区大学路1号
发明人		申请日期	2024-01-18
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:53:32
专利摘要	本公开的实施例提供一种环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，包括：衬底；金属薄膜，形成于衬底表面；若干超表面单元结构，呈周期阵列排布于金属薄膜的背离衬底的表面；其中，超表面单元结构包括短边相对设置的两个L型金属结构，且两个L型金属结构件之间间距布置。本发明采用周期排列的双L型金属结构超表面，当太赫兹电场垂直方向正入射时，激发超表面中的环形偶极共振模式，增强了太赫兹波与分析物相互作用，引起光谱强烈变化，进而提高传感器传感性能。从而可以实现痕量分析物浓度变化所引起的超表面结构表面介电环境的微小变化的探测。具有检测灵敏度高的优点，能实现对分析物的高灵敏检测。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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