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专利号	2023102107680	专利名称	一种低温脱除金属硅杂质的方法
专利类型	发明专利	国际分类	C01B 33/037 (2006.01)
申请人	安阳工学院	申请地址	河南省安阳市高新区黄河大道西段
发明人		申请日期	2023-03-07
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 07:42:42
专利摘要	本发明给出了一种低温脱除金属硅杂质的方法，包括以下步骤：S1、硅料粉碎及除杂：在流化床式气流粉碎装置内，以高压Ar气为载体，将粒度小于1mm的硅料进行对撞粉碎，得到一定目数的硅粉；在所述流化床式气流粉碎装置上还安装有冷等离子枪，冷等离子枪产生的冷等离子体对粉碎后的硅粉进行非金属杂质的脱除处理；S2、酸洗除杂：利用含有H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;和HF的酸洗液对硅粉进行酸洗除杂；S3、定向凝固除杂，得到杂质含量满足太阳能硅要求的高纯硅。本发明所述脱除金属硅中非金属杂质的方法，无需高温下将硅料熔化，能耗低，除杂效果好。

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