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超高正弦孔道暴露比ZSM-5分子筛及其制备方法

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专利号 2022107476672 专利名称 超高正弦孔道暴露比ZSM-5分子筛及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C01B 39/38 (2006.01),B01J 20/18 (2006.01),B01J 20/30 (2006.01),C07C 7/13 (2006.01),C07C 15/08 (2006.01)
申请人 安阳工学院 申请地址 河南省安阳市文峰区黄河大道1号
发明人 申请日期 2022-06-28
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:42:38
专利摘要 本发明公开了超高正弦孔道暴露比ZSM‑5分子筛及其制备方法,属在无机化学技术领域。以“结构单元mfi”作为晶种(mfi结构单元属在MFI结构四个基本组成单元之一),具体制备过程包括三个步骤:1)“mfi结构单元”制备,将MCM‑35分子筛粉末(wt%=0.05~0.5)加入到pH=12~15氢氧化钠溶液中进行碱处理;2)以“结构单元mfi”为晶种的水热合成,将碱处理混合物进行冷却,依次加入硅源与铝源,在15~30℃下搅拌0.5~3小时后将合成前躯体装入反应釜并转移至均相反应器中晶化;3)产物收集,晶化产物经离心分离、洗涤至中性、干燥后得到95%超高正弦孔道暴露比ZSM‑5分子筛。该分子筛其表面超高正弦孔道暴露比,在二甲苯异构体分离过程中展示了显著提升对二甲苯选择性,同时其制备过程操作简单、成本低。

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