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一种多晶硅的提纯方法

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专利号 2016111371288 专利名称 一种多晶硅的提纯方法
专利类型 发明专利 国际分类 C01B33/037
申请人 申请地址 河南省安阳市高新区黄河大道西段
发明人 申请日期 2016-12-12
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:41:15
专利摘要 一种多晶硅的提纯方法,包括以下步骤:A:将原料多晶硅研磨至粒度为36‑260μm;B:将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃然后将硅在冷水中快速淬火至室温,金属硅表面出现炸纹;C:将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗;然后过滤多晶硅,再用去离子水冲洗至中性,得提纯后的多晶硅。采用本方法对多晶硅结构型杂质和粘附性杂质移除率高。多晶硅酸洗后的废液可以作为化工原料循环使用,不破坏环境。

交易流程

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卖方 企业营业执照
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身份证
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