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一种直接探测中子的
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发明专利
专利类型 -
已下证
专利状态 -
2021113529329
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2021113529329 | 专利名称 | 一种直接探测中子的 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C23C 16/34 (2006.01),C23C 16/448 (2006.01),C23C 16/455 (2006.01),C23C 16/458 (2006.01),C23C 16/52 (2006.01),C23C 16/44 (2006.01) |
| 申请人 | 郑州工程技术学院,东华理工大学 | 申请地址 | 河南省郑州市惠济区英才街18号 |
| 发明人 | 朱志甫;王少堂;邹继军;甘勇;郭晨鲜;张洋;王民川;孔国利;岳秀萍 | 申请日期 | 2021-11-16 |
| 下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2026-07-10 15:07:51 |
| 专利摘要 | 本发明公开一种直接探测中子的<supgt;10</supgt;BN材料的低气压化学气相沉积生长装置及其生长方法，以源加热炉加热生长源，使其分解为气态产物，以氩气或者氮气作为气态产物的载气，在混气罐中混气结束后通入刚玉管中进行<supgt;10</supgt;BN薄膜的生长。该生长方法使用的生长源为富集<supgt;10</supgt;B，使得生长的<supgt;10</supgt;BN薄膜中有较好的<supgt;10</supgt;B丰度；该生长方法的生长源与载气在混气罐中混气结束后通入反应腔室，使得生长源能和载气均匀混合，能有效地提高<supgt;10</supgt;BN薄膜的生长速率和质量；该生长方法利用加热线圈加热生长源的传输路径，以减少前驱体在传输过程中的损耗；该生长方法利用双温区的高温管式炉，使得温度场更加稳定。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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