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一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2020111748789
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2020111748789 | 专利名称 | 一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G01T3/08(2006.01),H01L31/115(2006.01),H01L31/0216(2014.01),H01L31/18(2006.01) |
| 申请人 | 申请地址 | ||
| 发明人 | 朱志甫 | 申请日期 | 2020-10-28 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:34:23 |
| 专利摘要 | 本发明公开一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法，包含以下步骤：在GaN体材料的两面分别沉积Cr/Pt/Au复合金属层并退火，制备成GaN器件；将10B4C粉末、丙酮和异丙醇形成的混合液装入胶管滴管中并超声混合均匀；将10B4C混合液分别滴在被匀胶机托盘吸附的GaN器件的正表面和背表面，启动匀胶机并加热，使10B4C中子转换材料均匀凝固在GaN器件的正表面和北表面；将聚酰亚胺悬涂在含有10B4C中子转换层的GaN器件正表面和背表面并烘烤固化，完成GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备，本发明具有制备工艺简单、制备周期短、原材料利用率高和厚膜厚度可控等优点，在热中子探测中实现了高的探测效率和高的灵敏度。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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