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一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2020104715051
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2020104715051 | 专利名称 | 一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G01T1/24(2006.01),H01L31/115(2006.01),H01L31/18(2006.01) |
| 申请人 | 东华理工大学 | 申请地址 | 330013 江西省南昌市国家经济开发区广兰大道418号 |
| 发明人 | 张明智 | 申请日期 | 2020-05-29 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 07:34:16 |
| 专利摘要 | 本发明适用于核辐射探测技术领域，提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：用溴甲醇溶液对CsPbBr3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理；用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理，形成钝化层；对钝化层的中央部分进行刻蚀处理，形成刻蚀区域；在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极；以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极，得到半成品；将半成品置于保护气氛下进行退火处理，得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测，其具有探测极限低，方便携带等优点。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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